第三代半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入第三代半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計(jì)的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動(dòng)功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
- 關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導(dǎo)體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具 割草機(jī) 雙boost double boost 無橋PFC
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時(shí)將造成許多浪費(fèi)。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進(jìn)而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時(shí)間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計(jì)包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級(jí)圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)，誰將受益？
- “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅(jiān)定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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意法半導(dǎo)體與歐陸通設(shè)立聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域
- 近日，歐陸通與意法半導(dǎo)體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設(shè)立針對(duì)數(shù)字電源應(yīng)用的聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室，雙方合作的研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在服務(wù)器電源及新能源兩大產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行合作。據(jù)介紹，在服務(wù)器電源領(lǐng)域，歐陸通將結(jié)合意法半導(dǎo)體廣泛的芯片組合，包含主芯片控制器，功率器件（包含碳化硅，氮化鎵等寬禁帶材料），模擬器件（如隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器），傳感器等等，聯(lián)合打造高效率、高功率密度的服務(wù)器數(shù)字電源解決方案。在新能源領(lǐng)域，歐陸通將結(jié)合意法半導(dǎo)體主控芯片以及碳化硅、氮化鎵等創(chuàng)新的寬禁帶技術(shù)，打造液冷散熱
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“第三代半導(dǎo)體”迎來新方向，新能源車成為主線，重點(diǎn)在5家短線大牛
- 以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以極大滿足新能源汽車電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢的要求，對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義?！吨袊娮訄?bào)》開設(shè)“寬禁帶半導(dǎo)體與新能源汽車”專欄，以寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車范疇的應(yīng)用為切入點(diǎn)，全面系統(tǒng)報(bào)道寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)趨勢、市場發(fā)展現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)發(fā)展困難等。敬請(qǐng)關(guān)注。我國新能源汽車產(chǎn)銷量、保有量持續(xù)6年居世界首位，為寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量應(yīng)用數(shù)據(jù)樣本。記者在采訪時(shí)領(lǐng)會(huì)到，寬禁帶半導(dǎo)體能有效提升新能源汽
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聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品
- IT之家 3 月 20 日消息，聞泰科技今日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司已布局第三代化合物半導(dǎo)體，主要聚焦于由減少碳排放和綠色能源所帶來技術(shù)機(jī)遇，更加注重功率器件，以增強(qiáng)和擴(kuò)展半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，提供更多復(fù)雜的高功率產(chǎn)品，包括 SiC 與 GaN。公司暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品，會(huì)持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體新技術(shù)。封測技術(shù)方面，聞泰科技稱公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)具有 LFPAK、夾片粘合、SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）等多種先進(jìn)封測技術(shù)與幾十種封測型號(hào)，可滿足汽車客戶、工業(yè)、消費(fèi)客戶的不同產(chǎn)品性能的需求。此外，聞泰科技表示，公司半
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市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
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英飛凌與VinFast擴(kuò)大合作，第三代半導(dǎo)體企業(yè)與車企的不解之緣
- 關(guān)注電動(dòng)汽車領(lǐng)域的人，在近年來應(yīng)當(dāng)頻繁看見“VinFast”這個(gè)名字。從美國建廠到擬赴美上市，VinFast用大動(dòng)作刷足了存在感。事實(shí)上，VinFast對(duì)未來有著宏大的規(guī)劃，并正朝著這個(gè)規(guī)劃，積極聯(lián)手供應(yīng)鏈企業(yè)。01“野心勃勃”的VinFastVinFast成立于2017年，是越南一家年輕的初創(chuàng)企業(yè)。而背靠著越南首富潘日旺（Pham Nhat Vuong）及其旗下以房地產(chǎn)為主業(yè)的Vingroup，VinFast的發(fā)展可謂“光速”：2018年，VinFast收購?fù)ㄓ迷谠侥系钠嚿a(chǎn)線；同年底，VinFast
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博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資致能科技，加速第三代半導(dǎo)體布局
- 隸屬于博世集團(tuán)的羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司（以下簡稱“博世創(chuàng)投”）已完成對(duì)廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州，是國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新技術(shù)，致能科技致力于研發(fā)新一代氮化鎵功率器件，在現(xiàn)有基礎(chǔ)上全面提升氮化鎵工作電壓、導(dǎo)電能力、開關(guān)頻率等關(guān)鍵性能參數(shù)，助力實(shí)現(xiàn)更高效的功率管理系統(tǒng)。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole Développement最新報(bào)告，全球功率半導(dǎo)
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第三代半導(dǎo)體與硅器件未來將長期共存
- 目前全球能源需求的三分之一左右是用電需求，能源需求的日益增長，化石燃料資源的日漸耗竭，以及氣候變化等問題，要求我們?nèi)ふ腋腔邸⒏咝У哪茉瓷a(chǎn)、傳輸、配送、儲(chǔ)存和使用方式。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)做出很大貢獻(xiàn)。除此之外，寬禁帶產(chǎn)品和解決方案有利于提高效率、提高功率密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在交通、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、家電、個(gè)人電子設(shè)備等極為廣泛的應(yīng)用場景中為能效提升做出貢獻(xiàn)。除高速之外，碳化硅還具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、
- 關(guān)鍵字： 202207 第三代半導(dǎo)體 英飛凌
打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
- 受訪人：亞德諾半導(dǎo)體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
- 關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件
第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存
- 受訪人：英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 相似之處：相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性?！ 〔煌幖胺謩e適用于哪些應(yīng)用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料之間也存在著諸多差異。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 第三代半導(dǎo)體 硅
第三代半導(dǎo)體市場的“互補(bǔ)共生”
- 受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關(guān)鍵字： TI 第三代半導(dǎo)體 GaN SiC
第三代半導(dǎo)體介紹
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第三代半導(dǎo)體專欄文章
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