第九代 v-nand 文章進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)

圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過于求。　　IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進(jìn)動態(tài)
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東芝第二財(cái)季運(yùn)營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁

　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，日本東芝公司今天公布財(cái)報(bào)顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績的驅(qū)動，該公司本財(cái)年第二季度運(yùn)營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財(cái)年7至9月份這個第二季度運(yùn)營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個業(yè)績好于分析師預(yù)期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估，東芝本財(cái)年第二季度運(yùn)營利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機(jī)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威搶占邊緣存儲商機(jī)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
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IC Insights：全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22％

　　據(jù)IC Insights預(yù)測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點(diǎn)，出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。　　此外，IC Insights同時(shí)調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測?？傮w而言，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長達(dá)20%，比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點(diǎn)。　　2017年，IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價(jià)將大漲77%，預(yù)計(jì)今年將推動DRAM
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DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲就陷入了茫然。
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東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報(bào)道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時(shí)間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
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高云半導(dǎo)體宣布加入RISC-V基金會

　　廣東佛山，2017年10月18日訊，作為國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導(dǎo)體”)今天宣布加入RISC-V基金會，成為該組織成員中第一家中國FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導(dǎo)體又一次加入國際性行業(yè)聯(lián)盟組織，進(jìn)一步向業(yè)界表達(dá)其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景?！　ISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA)，其初衷是支持計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)研究與教育，目前在RISC-V基金會的領(lǐng)導(dǎo)下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)開放架構(gòu)。RISC-V&nb
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DRAM漲潮再起誰才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機(jī)的速測試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應(yīng)求

　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會補(bǔ)選一席董事，由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當(dāng)選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。　　臺灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會補(bǔ)選，并順利由東芝內(nèi)存株式會社當(dāng)選。　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補(bǔ)，強(qiáng)化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
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