第九代 v-nand 文章 進入第九代 v-nand技術(shù)社區(qū)
NAND閃存價格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預(yù)計之上?！?價格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)
- 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%
- 集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達(dá)85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平，不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落
- 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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