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MOS 管的死區(qū)損耗計算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導(dǎo)通，就會導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
關(guān)鍵字： MOS 管逆變電路

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