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          集成PMOS管變?nèi)萏匦苑治雠c仿真建模

          • 摘要:為適應(yīng)PMOS變?nèi)莨茉诩呻娐吩O(shè)計中的晶體管級仿真,在分析MOS變?nèi)莨芴匦缘幕A(chǔ)上,通過確定關(guān)鍵點、以曲線擬合的方法建立與工藝參數(shù)相關(guān)的PMOS集成變?nèi)莨芨哳l特性模型。選用Charted 0.35mu;m這個特定的工藝庫
          • 關(guān)鍵字: 仿真  建模  分析  特性  PMOS  管變?nèi)?/a>  集成  
          共1條 1/1 1

          管變?nèi)萁榻B

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