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          級聯共源共柵 文章 進入級聯共源共柵技術社區(qū)

          東芝級聯共源共柵技術解決GaN應用痛點

          • 受訪人:黃文源  東芝電子元件(上海)有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品?  回答:自從半導體產品面世以來,硅一直是半導體世界的代名詞。但是,近些年,隨著化合物半導體的出現,這種情況正在被逐漸改變。通常,半導體業(yè)界將硅(Si)作為第一代半導體的代表,將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
          • 關鍵字: 東芝  GaN  級聯共源共柵  
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          級聯共源共柵介紹

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