- 受訪人:黃文源 東芝電子元件(上海)有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品? 回答:自從半導體產品面世以來,硅一直是半導體世界的代名詞。但是,近些年,隨著化合物半導體的出現,這種情況正在被逐漸改變。通常,半導體業(yè)界將硅(Si)作為第一代半導體的代表,將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關鍵字:
東芝 GaN 級聯共源共柵
級聯共源共柵介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條級聯共源共柵!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對級聯共源共柵的理解,并與今后在此搜索級聯共源共柵的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473