結(jié)型場效應(yīng)晶體管 文章 進入結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)
垂直GaN JFET的動態(tài)性能
- 美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）器件。動態(tài)?RON描述了開關(guān)晶體管的電阻相對于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗增加，并縮短器件在應(yīng)用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 結(jié)型場效應(yīng)晶體管
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管介紹
結(jié)型場效應(yīng)晶體管 利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中的多數(shù)載流子的密度或類型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調(diào)制溝道中的電流，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運，少數(shù)載流子實際上沒有作用。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極晶體管。 1925～1926年美國的J.E.里林 [ 查看詳細 ]
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