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用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
- 工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
- 關(guān)鍵字： 結(jié)點溫度 MOS管
用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析
- 摘要：工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻
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