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結(jié)電容文章進入結(jié)電容技術社區(qū)

結(jié)電容對功率MOSFET關斷特性的影響分析

摘要：為了分析功率MOSFET關斷特性，本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關斷過程的機理并推導了數(shù)學模型，表明了MOSFET關斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模型，仿真結(jié)果對數(shù)學模型進行了驗證；設計了雙脈沖實驗，實驗結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。研究結(jié)論有助于器件設計優(yōu)化和應用改善。關鍵詞：關斷特性；結(jié)電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
關鍵字： 202210 關斷特性結(jié)電容 Spice模型雙脈沖

IGBT失效都是變壓器結(jié)電容惹的禍

隨著人們對電源及電子設備的功能要求越來越高，為各種設備提供電源時需要進行的改動就越來越多。IGBT就是其中一種，然而在實際的設計過程中，很多朋友
關鍵字： IGBT 結(jié)電容電源

共2條 1/1 1

結(jié)電容介紹

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