維持電壓(vh) 文章 進入維持電壓(vh)技術(shù)社區(qū)
帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對維持電壓的影響*
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS(BCD)工藝,研究并實現(xiàn)了一種陽極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高壓靜電放電保護(ESD)。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統(tǒng)(TLP),預(yù)測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結(jié)果表明,在不增加器件面積的情況下,通過增加SAB層,器件的維持電壓(Vh)可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比,帶有SAB層的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的維持電壓。
- 關(guān)鍵字: 可控硅(SCR) 硅化物阻擋層(SAB) 仿真 傳輸線脈沖測試系統(tǒng)(TLP) 維持電壓(Vh) 202109
一種非對稱雙向可控硅靜電防護器件的設(shè)計*
- 非對稱雙向可控硅(ADDSCR)是在考慮了保護環(huán)結(jié)構(gòu)之后,為使I-V特性曲線對稱而設(shè)計的非對稱結(jié)構(gòu),但是其維持電壓較低,容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓,基于0.18 μm BCD工藝,設(shè)計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真,證明HHVADDSCR具有高維持電壓,避免了閂鎖,且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關(guān)鍵字: 202107 非對稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應(yīng)
共2條 1/1 1 |
維持電壓(vh)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條維持電壓(vh)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對維持電壓(vh)的理解,并與今后在此搜索維持電壓(vh)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對維持電壓(vh)的理解,并與今后在此搜索維持電壓(vh)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473