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維持電壓（vh）
維持電壓（vh） 文章 進(jìn)入維持電壓（vh）技術(shù)社區(qū)
帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對(duì)維持電壓的影響*
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現(xiàn)了一種陽(yáng)極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護(hù)（ESD）。利用二維器件仿真平臺(tái)和傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP），預(yù)測(cè)和驗(yàn)證了SAB層對(duì)可控硅性能的影響。測(cè)量結(jié)果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
一種非對(duì)稱雙向可控硅靜電防護(hù)器件的設(shè)計(jì)*
- 非對(duì)稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)之后，為使I-V特性曲線對(duì)稱而設(shè)計(jì)的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設(shè)計(jì)維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號(hào)端口的靜電保護(hù)。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對(duì)稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應(yīng)
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維持電壓（vh）介紹
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