緩啟動 文章 進入緩啟動技術(shù)社區(qū)
MOSFET開關(guān)損耗分析
- 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字: MOSFET 帶電插拔 緩啟動 開關(guān)損耗
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