羅姆 文章 進(jìn)入羅姆技術(shù)社區(qū)
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進(jìn)程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動車?yán)m(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)，還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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羅姆與馬自達(dá)和今仙電機(jī)就使用了碳化硅功率模塊的e-Axle用逆變器簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）與馬自達(dá)汽車株式會社（以下簡稱“馬自達(dá)”）和今仙電機(jī)制作所（以下簡稱“今仙電機(jī)”）就包括e-Axle在內(nèi)的電動汽車電驅(qū)動單元中所搭載的逆變器和碳化硅功率模塊簽署了聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。馬自達(dá)汽車株式會社 董事 專務(wù)執(zhí)行官 研發(fā)與成本改革及創(chuàng)新部門統(tǒng)括 廣瀨 一郎（圖左）、ROHM Co., Ltd. 董事 專務(wù)執(zhí)行官 COO 東 克己（圖右）&
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基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 日前，深圳基本半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）在位于日本京都的羅姆總部簽訂車載碳化硅功率器件戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。 羅姆董事長松本功（圖左）、基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍?。▓D右）出席簽約儀式 此次簽約，雙方將充分發(fā)揮各自的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級、性能提升等方面展開深度合作，開發(fā)出更先進(jìn)、更高效、更可靠的新能源汽車碳化硅解決方案。此外，作為第一批合作成果，融合了雙方技術(shù)的車載功率模塊將提供給多家大型汽車企業(yè)
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羅姆將參加2022年慕尼黑電子展 展示面向未來的電子解決方案
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將參加于11月15日至18日在德國舉辦的2022年慕尼黑電子展。該展會是世界頂級電子元器件、系統(tǒng)、應(yīng)用和解決方案云集的貿(mào)易展銷會與研討會。屆時，羅姆將在具有未來科技風(fēng)格的展臺（C3-520）上展示注重節(jié)能、小型化、功能安全、創(chuàng)新和可持續(xù)發(fā)展的解決方案。 羅姆展臺示意圖 羅姆將基于“Electronics for the Future”的企業(yè)宣言，通過多媒體設(shè)備展示其如何利用高品質(zhì)技術(shù)解決社會和生態(tài)環(huán)境的各種挑戰(zhàn)。具體展示亮點(diǎn)如下：1. 節(jié)能全球人口增長帶來的能源
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
- 在功率開關(guān)器件最常見的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況?！?nbsp; 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MO
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汽車智能化加速落地, 羅姆為安全筑起高墻
- 【導(dǎo)語】全球新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命正悄悄來臨，電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、共享化成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢。在汽車新四化的推動之下，汽車電子電氣架構(gòu)從原來的分布式逐漸向跨域集中式和車輛集中式不斷演進(jìn)，汽車電子軟件架構(gòu)不斷升級，軟件與硬件分層解耦，軟件定義汽車的時代即將到來。汽車智能化跑出加速度，中國的新能源車市場向好，ADAS功能搭載率不斷攀升，L2正在成為標(biāo)配，L3開始量產(chǎn)上車。汽車智能化趨勢下，功能安全成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)隨著汽車智能化的推進(jìn)以及自動駕駛技術(shù)創(chuàng)新的日新月異，安全成為行業(yè)不約而同的關(guān)注焦點(diǎn)。安全
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表面貼裝的散熱面積估算和注意事項(xiàng)
- 到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將會發(fā)熱的IC安裝得過于密集，就會發(fā)生熱干擾并導(dǎo)致溫度升高。?根據(jù)所容許的最大TJ求得所需的θJA，并估算其所需的散熱面積。到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。元器件配置與熱干擾隨著近年來對小型
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理
- 數(shù)字晶體管（Digital Transistor），英文名為Bias Resistor Transistor，是帶電阻的晶體管，有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻，一般稱為R1，有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻，類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制，電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配，因此數(shù)字晶體管的品種很多。選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
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加強(qiáng)ADAS攝像頭系統(tǒng)的功能安全性
- 1 ADAS市場動向和ROHM的方針近年來，汽車領(lǐng)域的先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（advanced driver-assistance systems，ADAS），作為面向汽車安全的世界性措施，在世界各地的搭載和義務(wù)化進(jìn)程不斷加速，ADAS 構(gòu)成所需的車載攝像頭系統(tǒng)、Radar（雷達(dá)）、LiDAR 以及將多個傳感技術(shù)融合在一起的傳感器 Fusion 系統(tǒng)的開發(fā)也在加速。其中，攝像頭系統(tǒng)在以往的環(huán)視系統(tǒng)中被廣泛使用，在周邊環(huán)境的感知中起著重要的作用，并且與 Radar 并列成為每輛車搭載數(shù)量最多的傳感系統(tǒng)。在今后市
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碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化
- 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 202207 碳化硅 電動汽車 羅姆
羅姆介紹
羅姆電子（ROHM Co., Ltd.）是日本半導(dǎo)體制造商，總部在京都市左京區(qū)，創(chuàng)始人是佐藤研一郎，成立于1958年。羅姆電子的二極管與芯片在世界上擁有很高的占有率。
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