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美光
美光 文章 進(jìn)入美光技術(shù)社區(qū)
DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?
- 目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱(chēng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國(guó)市調(diào)公司IHS指，韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈
- 受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續(xù)5季衰退。 在DRAM與NAND Flash的平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%
- 美國(guó)記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運(yùn)將有壓力。 受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營(yíng)收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元，每股凈損0.09美元。 美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠
- 28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工，建成后將成為中國(guó)最大、最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國(guó)紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司，一時(shí)間中國(guó)半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國(guó)公司的威脅了。早在去年，紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購(gòu)美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。 中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購(gòu)已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購(gòu)美光不成功之后，大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
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美光宣布試產(chǎn)新一代GDDR5X顯存
- 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始為客戶試產(chǎn)新一代GDDR5X顯存。GDDR5X是美光提出來(lái)的一種基于GDDR5的增強(qiáng)型閃存技術(shù)，已經(jīng)被JEDEC采納為國(guó)際通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，AMD、NVIDIA的下一代中高端顯卡都將配備。雖然說(shuō)HBM顯存技術(shù)更先進(jìn)、帶寬更高，AMD、NVIDIA頂級(jí)旗艦卡都會(huì)用，但是其成本目前偏高，暫時(shí)還無(wú)法普及。 GDDR5X通過(guò)簡(jiǎn)單的技術(shù)改進(jìn)，尤其是把數(shù)據(jù)預(yù)取位寬翻番為16-bit，就得到了更高的帶寬，初期即可達(dá)10-12Gbps，后期能提升至14-16Gbps，那么搭配256-bit位寬
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美光下半年SSD出貨將以3D NAND為主，容量更大、速度更快
- 3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，以垂直方式堆疊32層的儲(chǔ)存單元，號(hào)稱(chēng)是全球密度最高的快閃記憶體，容量可達(dá)到其他NAND記憶體的3倍，并具有快速讀寫(xiě)效能，帶來(lái)更便宜每GB成本及省電特性。 ? 根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)者美光(Micron)于上周舉行的分析師會(huì)議中透露，今年下半年出貨的固態(tài)硬碟(Solid State Drive，SSD)中，大部份都將是基于3D NAND技術(shù)的產(chǎn)品。 3D NAND采用了浮閘(floating gate)技術(shù)，
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美光DRAM表現(xiàn)看弱 市場(chǎng)供需變化使然
- 日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。 評(píng)論認(rèn)為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。 據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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美光本季財(cái)報(bào)兩年來(lái)首虧 存儲(chǔ)器業(yè)警訊
- 美國(guó)存儲(chǔ)器芯片大廠美光美東時(shí)間22日示警，本季恐出現(xiàn)虧損，是該公司兩年多來(lái)首度轉(zhuǎn)虧。美光本季展望不妙、甚至陷入虧損，透露存儲(chǔ)器市況比預(yù)期差，法人憂心，華亞科、南亞科、華邦等臺(tái)灣DRAM廠后市也將轉(zhuǎn)弱?！ 》治鰩煂?duì)美光本季將轉(zhuǎn)虧大為意外，Wedbush證券公司分析師Betsy Van Hees認(rèn)為：“這代表將出現(xiàn)完美風(fēng)暴，包括疲弱的季報(bào)、低于預(yù)期的市場(chǎng)需求，以及不利的價(jià)格因素”。美光在美東時(shí)間22日公布上季財(cái)報(bào)與展望之后，盤(pán)后股價(jià)重挫近6%，昨日早盤(pán)再跌近7%。 法人分析，DRAM
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DRAM慘跌拖累 美光營(yíng)收衰退近3成
- DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求，而分散營(yíng)收的努力尚待開(kāi)花結(jié)果，導(dǎo)致美光(Micron)最新一季營(yíng)收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂(lè)觀。 華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報(bào)導(dǎo)，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會(huì)計(jì)年度第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。 在展望方面，美光預(yù)測(cè)本季營(yíng)收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預(yù)估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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美光科技業(yè)務(wù)狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)
- 個(gè)人電腦(PC)需求放緩嚴(yán)重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過(guò)60%的收入來(lái)自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過(guò)去一年里，美光科技股價(jià)跌去了60%。利潤(rùn)和收入大幅下滑。利潤(rùn)率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財(cái)季業(yè)績(jī)料將凸顯出艱難的經(jīng)營(yíng)環(huán)境。 不過(guò)從歷史角度看，美光科技股價(jià)一直波動(dòng)較大，周期性驅(qū)動(dòng)的電腦芯片業(yè)務(wù)推動(dòng)其股價(jià)起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱(chēng)，過(guò)去一年里，美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫(kù)存，預(yù)計(jì)這一
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美光正在開(kāi)發(fā)GDDR6 比主流GDDR5快一倍
- 外媒聲稱(chēng)美光(Micron)正整備于明年為市場(chǎng)帶來(lái)GDDR6顯存，報(bào)道稱(chēng)GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14GB/s左右。 當(dāng)前主流的4GB GDDR5顯存大多在7Gb/s(8GB芯片則在8Gb/s)左右。GDDR6顯存的形狀仍與GDDR5相似，因此可以減輕設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中的成本和復(fù)雜性?！ 〔贿^(guò)需要指出的是，在類(lèi)似尺寸的情況下，高帶寬內(nèi)存(HBM)早就實(shí)現(xiàn)了較GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不僅無(wú)法做到HBM那樣高效、也無(wú)法帶來(lái)相同級(jí)別的延遲。HBM 2.0也將在2016
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]
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