背后供電技術(shù) 文章 進(jìn)入背后供電技術(shù)技術(shù)社區(qū)

性能提高44%，三星計(jì)劃2納米制程加入背后供電技術(shù)

• 在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu)，已成功量產(chǎn)，照三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術(shù)論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細(xì)節(jié)。從過去高K金屬柵極技術(shù)到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，F(xiàn)inFET仍是半導(dǎo)體制程最主流技術(shù)，之前稱為3
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