背照技術(shù) 文章 進(jìn)入背照技術(shù)技術(shù)社區(qū)
X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能
- 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
- 關(guān)鍵字： X-FAB 圖像傳感器 背照技術(shù) CMOS傳感器
| 共1條 1/1 1 |
背照技術(shù)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條背照技術(shù)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對背照技術(shù)的理解，并與今后在此搜索背照技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對背照技術(shù)的理解，并與今后在此搜索背照技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473