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          X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求,X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018(180納米)上開(kāi)放了背照(BSI)功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝,成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被后端工藝的金屬層所遮擋,從而大幅提升傳感器的填充比,最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度,因而在暗
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  圖像傳感器  背照技術(shù)  CMOS傳感器  
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          背照技術(shù)介紹

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