背面供電技術(shù) 文章 進(jìn)入背面供電技術(shù)技術(shù)社區(qū)
目標(biāo)2026年量產(chǎn)，初探臺積電背面供電技術(shù)：最直接高效，但也更貴
- 7 月 4 日消息，根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、有效，但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)？由于晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數(shù)也越來越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號，需要穿過 10-20 層堆棧，大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí)，避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號
- 關(guān)鍵字： 臺積電 背面供電技術(shù) BSPDN
在2nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)背面供電技術(shù)的挑戰(zhàn)
- 英特爾可能會成為第一個(gè)采用背面供電的公司，以恢復(fù)其在制程技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字： 背面供電技術(shù)
背面供電技術(shù)是如何降低芯片功耗的？
- 芯片內(nèi)部空間越來越緊湊，新技術(shù)有更多發(fā)揮空間。
- 關(guān)鍵字： 背面供電技術(shù)
| 共3條 1/1 1 |
背面供電技術(shù)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條背面供電技術(shù)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對背面供電技術(shù)的理解，并與今后在此搜索背面供電技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對背面供電技術(shù)的理解，并與今后在此搜索背面供電技術(shù)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473