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背面電軌
背面電軌 文章 進(jìn)入背面電軌技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電背面電軌黑科技 供應(yīng)鏈價(jià)量齊揚(yáng)
- 埃米時(shí)代來(lái)臨，背面電軌（BSPDN）成為先進(jìn)制程最佳解決方案，包括臺(tái)積電、英特爾、imec（比利時(shí)微電子研究中心）提出不同解方，鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測(cè)（ALD）及再生晶圓三大制程重點(diǎn)，相關(guān)供應(yīng)鏈包括中砂、天虹及升陽(yáng)半導(dǎo)體等受惠。 背面電軌（BSPDN）被半導(dǎo)體業(yè)者喻為臺(tái)積電最強(qiáng)黑科技，成為跨入埃米時(shí)代最佳解決方案，預(yù)估2026年啟用。目前全球有三種解決方案，分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺(tái)積電的Super Power Rail。代工大廠皆開(kāi)始透過(guò)設(shè)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 背面電軌 BSPDN
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背面電軌介紹
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