能源基礎(chǔ)設(shè)施文章進(jìn)入能源基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)社區(qū)

要降本增效還要更可靠！能源基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)靠它們了！

本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，并展示了設(shè)計(jì)人員該如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站和太陽(yáng)能逆變器到能源儲(chǔ)存和不間斷電源系統(tǒng)，能源基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)計(jì)人員持續(xù)面臨著減少碳排放量、提高可靠性和降低成本的挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，他們需要仔細(xì)研究如何&n
關(guān)鍵字： Digikey 能源基礎(chǔ)設(shè)施

憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及可靠高效的下一代功率半導(dǎo)體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間?中國(guó)上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。與同類(lèi)競(jìng)品相比，這些新器件在現(xiàn)實(shí)條件下實(shí)現(xiàn)了更低的開(kāi)關(guān)損耗，能夠滿(mǎn)足下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，
關(guān)鍵字： e絡(luò)盟安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施

共2條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條能源基礎(chǔ)設(shè)施!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的理解，并與今后在此搜索能源基礎(chǔ)設(shè)施的朋友們分享。創(chuàng)建詞條