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          華為首次確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)!用面積換性能、用堆疊換性能

          • 華為芯片“卡脖子”未來(lái)如何解決?外界一直眾說(shuō)紛紜。在日前舉辦的華為2021年年報(bào)發(fā)布會(huì)上,華為輪值董事長(zhǎng)郭平給出了答案。郭平表示,用面積換性能,用堆疊換性能,使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來(lái)的產(chǎn)品里面,能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。這是華為首次公開(kāi)確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)。也就是說(shuō),可以通過(guò)增大面積,堆疊的方式來(lái)?yè)Q取更高的性能,實(shí)現(xiàn)低工藝制程追趕高性能芯片的競(jìng)爭(zhēng)力。按照以往經(jīng)驗(yàn),華為在一項(xiàng)技術(shù)公布的時(shí)候,往往已經(jīng)驗(yàn)證了其可行性。這也意味著,華為采用芯片堆疊技術(shù)的芯片很有可能在不遠(yuǎn)的將來(lái)問(wèn)世。當(dāng)然,通過(guò)堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)低工藝
          • 關(guān)鍵字: 芯片堆疊技術(shù)  華為  

          3DIC芯片堆疊技術(shù)項(xiàng)目又有6成員加入

          •   包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),Altera,ADI(AnalogDevices),LSI,安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目,該消息是由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前公布?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 安森美  芯片堆疊技術(shù)  
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          芯片堆疊技術(shù)介紹

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