英特爾? 文章進(jìn)入英特爾?技術(shù)社區(qū)

英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺(tái)積電的2納米性能和發(fā)布時(shí)間之前

英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺(tái)積電的2納米性能和發(fā)布時(shí)間之前英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger對(duì)其18A工藝表示信心，聲稱它在性能上與臺(tái)積電的2納米節(jié)點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)激烈，而且發(fā)布時(shí)間也更早。英特爾18A工藝節(jié)點(diǎn)采用背面供電和增強(qiáng)硅利用率，據(jù)稱在性能和交付方面領(lǐng)先于臺(tái)積電的2納米英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在團(tuán)隊(duì)藍(lán)色最近的AI Everywhere活動(dòng)上與巴倫報(bào)對(duì)話，該活動(dòng)中公司發(fā)布了其最新的Meteor Lake處理器。在與該出版物交談時(shí)，首席執(zhí)行官Gelsinger就英特爾的18
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ASML 向英特爾交付首臺(tái)高數(shù)值孔徑光刻設(shè)備

IT之家 12 月 22 日消息，ASML 公司近日通過(guò)官方 X（推特）賬號(hào)發(fā)布推文，宣布已經(jīng)向英特爾交付首臺(tái)高數(shù)值孔徑光刻設(shè)備。IT之家此前報(bào)道，ASML 研制的高數(shù)值孔徑光刻設(shè)備主要用于生產(chǎn) 2nm 工藝半導(dǎo)體芯片，數(shù)值孔徑（NA）光學(xué)性能從 0.33 提高到 0.55。ASML 明年規(guī)劃產(chǎn)能僅有 10 臺(tái)，而英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中 6 臺(tái)，不過(guò) ASML 計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)將此設(shè)備產(chǎn)能提高到每年 20 臺(tái)。ASML 新的高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)涉及一種全新的工具，具有 0.55 數(shù)值孔徑的鏡頭
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英特爾宣布公司40年來(lái)最大的架構(gòu)變革

英特爾在2023年的“AI Everywhere”活動(dòng)上推出了對(duì)其處理架構(gòu)的徹底更新，體現(xiàn)在其移動(dòng)Core Ultra處理器和將于2024年發(fā)布的桌面Core Ultra處理器中。這些架構(gòu)將傳統(tǒng)高性能CPU核心與專用核心（用于低功耗任務(wù)、圖形加速和AI加速）結(jié)合在一起。在同一活動(dòng)上宣布的最新的第五代Xeon CPU側(cè)重于服務(wù)器性能，并添加了用于云AI加速的協(xié)處理器核心。根據(jù)英特爾的公司愿景，AI處理的未來(lái)既在云端又在邊緣。該公司預(yù)測(cè)，到2028年，80%的個(gè)人電腦將成為“AI個(gè)人電腦”，配備有AI協(xié)處理器
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AI與Intel 4加持英特爾第五代至強(qiáng)與酷睿Ultra雙箭齊發(fā)

據(jù)說(shuō)從2023年開始，在華爾街融資沒有AI的加持很多投資人連看都懶得看，足見AI在未來(lái)市場(chǎng)預(yù)期中所占的重要位置。對(duì)于很早就瞄準(zhǔn)AI應(yīng)用并且絕大部分產(chǎn)品都可以應(yīng)用于AI產(chǎn)業(yè)鏈的英特爾，自然希望借助AI應(yīng)用的加持獲得更多用戶的認(rèn)可，為自己未來(lái)的市場(chǎng)預(yù)期增加砝碼，在近日舉辦的“讓AI無(wú)處不在”活動(dòng)上，英特爾推出一系列出色的AI產(chǎn)品組合，第五代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器和酷睿Ultra移動(dòng)處理器。英特爾對(duì)AI的重視體現(xiàn)在兩個(gè)最主力產(chǎn)品線的宣傳口號(hào)直接瞄準(zhǔn)了AI應(yīng)用市場(chǎng)。比如說(shuō)英特爾正式推出第五代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（代
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英特爾、三星和臺(tái)積電演示3D堆疊晶體管，三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET），擺脫摩爾定律的下一個(gè)目標(biāo)。

在本周的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，臺(tái)積電展示了他們對(duì)CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)上，英特爾、三星和臺(tái)積電展示了他們?cè)诰w管下一次演變方面取得的進(jìn)展。芯片公司正在從自2011年以來(lái)使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過(guò)渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中，柵通過(guò)垂直硅鰭控制電流的流動(dòng)。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個(gè)帶狀物都被柵包圍。 CFET
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英特爾人工智能創(chuàng)新應(yīng)用大賽正式啟動(dòng)，以AI PC促進(jìn)生產(chǎn)力和娛樂(lè)體驗(yàn)飛躍

12月16日，英特爾人工智能創(chuàng)新應(yīng)用大賽啟動(dòng)儀式在深圳舉辦。通過(guò)本次大賽，英特爾為廣大開發(fā)者提供了一個(gè)展示創(chuàng)意和成果的平臺(tái)，并依托強(qiáng)大的英特爾? 酷睿? Ultra等設(shè)備及軟件工具套件，助力開發(fā)者利用基于英特爾的AI PC出色的計(jì)算和圖形性能進(jìn)行創(chuàng)意開發(fā)，讓每一位用戶都能真切體驗(yàn)到AI PC帶來(lái)的智能生產(chǎn)力躍升以及更加強(qiáng)大的娛樂(lè)體驗(yàn)。作為本屆大賽的獨(dú)家AI PC合作伙伴，聯(lián)想與英特爾共同攜手加速 AI 特性在 PC 上的應(yīng)用，促進(jìn)生產(chǎn)力和娛樂(lè)創(chuàng)作力的釋放。聯(lián)想集團(tuán)副總裁、中
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第五代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，為AI加速而生

12月15日，北京——今日，在以“AI無(wú)處不在創(chuàng)芯無(wú)所不及”為主題的2023英特爾新品發(fā)布會(huì)暨AI技術(shù)創(chuàng)新派對(duì)上，英特爾正式推出第五代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器（代號(hào) Emerald Rapids）。期間，英特爾亦與生態(tài)伙伴分享了該全新產(chǎn)品在京東云、百度智能云、阿里云、火山引擎的成功實(shí)踐及其應(yīng)用價(jià)值。第五代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器在提高人工智能、科學(xué)計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)庫(kù)、安全等關(guān)鍵工作負(fù)載的每瓦性能1，以及降低總體擁有成本（TCO）方面有出色表現(xiàn)。2 本次是英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理
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英特爾的Emerald Rapids Xeon SP處理器在性能上略有提升，成本略微降低

隨著每一代Intel Xeon SP服務(wù)器處理器的推出，我們不禁想到同樣的事情：如果這款芯片一年前或兩年前就發(fā)布了，對(duì)于Intel和客戶來(lái)說(shuō)都會(huì)更好，而且肯定是計(jì)劃中的。今天發(fā)布的新型“Emerald Rapids”處理器是Xeon SP系列的第五代，確實(shí)是Intel迄今為止推出的最優(yōu)秀的服務(wù)器CPU，但它將面臨來(lái)自AMD的Epyc系列以及一些由超大規(guī)模計(jì)算和云服務(wù)提供商制造的本土Arm服務(wù)器CPU的激烈競(jìng)爭(zhēng)。更不用說(shuō)Arm服務(wù)器CPU新秀Ampere Computing。過(guò)去幾年一直如此，Intel將在
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英特爾推出新的人工智能芯片以與Nvidia和AMD競(jìng)爭(zhēng)

英特爾于周四推出了新的計(jì)算機(jī)芯片，包括Gaudi3，一款用于生成人工智能軟件的芯片。英特爾還宣布了Core Ultra芯片，專為Windows筆記本電腦和個(gè)人電腦設(shè)計(jì)，以及新的第五代至強(qiáng)服務(wù)器芯片。英特爾的服務(wù)器和個(gè)人電腦處理器包括稱為NPUs的專用人工智能部件，可用于更快地運(yùn)行人工智能程序。
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英特爾推出新一代強(qiáng)大產(chǎn)品,加速實(shí)現(xiàn)“AI無(wú)處不在”

英特爾? 酷睿? Ultra 和第五代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器豐富了英特爾出色的AI產(chǎn)品組合，加速 AI 惠及千行百業(yè)，開啟全民 AI 時(shí)代。今天，在紐約舉行的“讓AI無(wú)處不在”活動(dòng)上，英特爾推出一系列出色的AI產(chǎn)品組合，旨在助力用戶從數(shù)據(jù)中心、云、網(wǎng)絡(luò)，到邊緣和 PC等各個(gè)領(lǐng)域打造無(wú)處不在的AI解決方案。亮點(diǎn)包括：●? ?英特爾? 酷睿? Ultra移動(dòng)處理器家族，是首款基于 Intel 4 制程工藝打造的處理器，代表著英特爾40年來(lái)最重大的架構(gòu)變革，并同時(shí)成為英特爾最具能效比
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晶圓代工市場(chǎng)分析：三星與臺(tái)積電的差距進(jìn)一步擴(kuò)大

芯片需求的上漲對(duì)晶圓代工廠商的作用是顯而易見的，特別是對(duì)于依賴先進(jìn)制程的高性能芯片，7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升，在功耗的控制上也有更多的余地。對(duì)于大部分依賴先進(jìn)制程的芯片公司而言，從晶圓代工廠商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。當(dāng)然，對(duì)于晶圓廠商來(lái)說(shuō)，決定先進(jìn)制程量產(chǎn)的光刻機(jī)也有著同樣的地位。特別是在進(jìn)入7nm、5nm之后，EUV光刻機(jī)的數(shù)量將直接決定能否持續(xù)取得市場(chǎng)領(lǐng)先地位。作為目前晶圓代工領(lǐng)域的兩大龍頭，臺(tái)積電和三星之間圍繞光刻機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)趨于白熱化。今年第三季度，晶圓代工龍頭臺(tái)積電
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半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相制造下一代"2nm"尖端芯片

臺(tái)積電、三星和英特爾爭(zhēng)奪“2nm”芯片，此舉將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司正在競(jìng)相生產(chǎn)所謂的“2nm”處理器芯片，為下一代智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動(dòng)力。臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）仍然是分析師最希望保持其在該行業(yè)全球霸主地位的公司，但三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）已將該行業(yè)的下一個(gè)飛躍視為縮小差距的機(jī)會(huì)。幾十年來(lái)，芯片制造商一直在尋求制造更緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小
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英特爾攜手聯(lián)想打造5G未來(lái)工廠

據(jù)“英特爾資訊”公眾號(hào)消息，為持續(xù)推動(dòng)智能制造發(fā)展，英特爾助力聯(lián)想打造了聯(lián)想（天津）智慧創(chuàng)新服務(wù)產(chǎn)業(yè)園。雙方充分運(yùn)用綠能技術(shù)和綠色建造技術(shù)，在智能制造、智聯(lián)質(zhì)量、智慧物流等方面優(yōu)化建設(shè)運(yùn)營(yíng)方案，為業(yè)界打造了一個(gè)高度自動(dòng)化、全面智能化的可復(fù)制零碳智造解決方案。據(jù)悉，此次基于英特爾軟硬件產(chǎn)品組合打造的聯(lián)想（天津）智慧創(chuàng)新服務(wù)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目，充分踐行了“零碳之路，綠色之道”的初心，著力打造集生產(chǎn)制造、研發(fā)實(shí)驗(yàn)、數(shù)字化展示于一體的高度信息化、智能化業(yè)界標(biāo)桿產(chǎn)業(yè)園。聯(lián)想的5G+制造解決方案，以NFV技術(shù)為底座，基于通用
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英特爾展示下一代晶體管微縮技術(shù)突破將用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)

2023年12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議）上展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，為其未來(lái)的制程路線圖提供了豐富的創(chuàng)新技術(shù)儲(chǔ)備，充分說(shuō)明了摩爾定律仍在不斷演進(jìn)。具體而言，英特爾研究人員在大會(huì)上展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發(fā)突破的擴(kuò)展路徑（如背面觸點(diǎn)），并率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實(shí)現(xiàn)了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規(guī)模單片3D集成。英特爾公
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實(shí)現(xiàn) CFET

IT之家 12 月 10 日消息，由于當(dāng)下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時(shí)微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補(bǔ)晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺(tái)積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，并強(qiáng)調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管方面取得的突
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