英諾賽科文章進(jìn)入英諾賽科技術(shù)社區(qū)

EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專利

案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的四項(xiàng)專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。這些專利涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
關(guān)鍵字：宜普電源 EPC 英諾賽科氮化鎵 GaN

據(jù)看看新聞網(wǎng)報(bào)道，目前，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)，年銷售收入約
關(guān)鍵字：英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體

共2條 1/1 1

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條英諾賽科!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對英諾賽科的理解，并與今后在此搜索英諾賽科的朋友們分享。創(chuàng)建詞條