英諾賽科文章進(jìn)入英諾賽科技術(shù)社區(qū)

EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專利

案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱宜普公司）于今日向美國(guó)聯(lián)邦法院和美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的四項(xiàng)專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。這些專利涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
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據(jù)看看新聞網(wǎng)報(bào)道，目前，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目主體施工已經(jīng)完成。資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺(tái)。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目開(kāi)工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬(wàn)片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)，年銷售收入約
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