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新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
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英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴充大功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅(qū)動等應(yīng)用，推動綠色能源的發(fā)展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續(xù)增長的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢的推動下，英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻，新工廠的建設(shè)將進一步助力英飛凌滿足日益
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防水、防塵又防潮：英飛凌推出超小型氣壓傳感器DPS368
- 2019年6月4日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新產(chǎn)品——XENSIVTM DPS368。這是一款能夠同時測量溫度與氣壓的小型化數(shù)字氣壓傳感器。此產(chǎn)品具有±2 cm的超高精度以及低功耗，十分適于海拔、氣流以及身體運動的精確測量，這也使之成為那些支持移動追蹤以及導(dǎo)航功能的手機和可穿戴設(shè)備的理想之選。不僅如此，它還適用于家電（進行氣流調(diào)節(jié)）、無人機（維持飛行穩(wěn)定性）以及醫(yī)療器械（如智能吸入器）。得益于其可靠的封裝，DPS368可在50米深的水下保持
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英飛凌XENSIV? TLI4971：面向工業(yè)應(yīng)用的全新電流傳感器
- 2019年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將發(fā)布新的電流傳感器家族系列產(chǎn)品，并攜其首個家族成員亮相今年的PCIM貿(mào)易展。這個家族系列產(chǎn)品將由高度精確和穩(wěn)定的無磁芯霍爾傳感器組成。它們可提供很高的靈活性，允許客戶單獨設(shè)置產(chǎn)品參數(shù)，如電流范圍、過流閾值和輸出模式等。首款產(chǎn)品XENSIV? TLI4971的測量范圍為±25 A至±120 A。它適用于工業(yè)應(yīng)用，如高達50 kW的電力驅(qū)動裝置或光伏逆變器。這個產(chǎn)品家族的其他成員將于2020年陸續(xù)問
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英飛凌營收符合預(yù)期目標，總營收環(huán)比增長1%
- 2019年5月8日，德國諾伊比貝爾格（Neubiberg） – 英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）公布了2019財年第二季度的業(yè)績（截至2019年3月31日）。要點如下：·2019財年第二季度：營收19.83億歐元；營業(yè)利潤3.32億歐元；利潤率為16.7%。·對2019財年第三季度的展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1.15，環(huán)比營收增長將達到1%（正負兩個百分點），低于以往的環(huán)比增長率，利潤率將達到15%。·對2019財年的展望：營收預(yù)期為80億歐元（正負兩個百分點），利潤
- 關(guān)鍵字： 諾伊比貝爾格 英飛凌科技
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
- 制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開通行為和高魯棒性的短路行為。在
- 關(guān)鍵字： FZ1200R45HL3 英飛凌科技 IGBT
飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
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