英飛凌科技文章進(jìn)入英飛凌科技技術(shù)社區(qū)

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開(kāi)關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車（LEV）、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
關(guān)鍵字：英飛凌科技汽車應(yīng)用 OptiMOS? 7 MOSFET

英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測(cè)試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還進(jìn)一步擴(kuò)大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽(yáng)能模塊以及高能效馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。英飛凌營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長(zhǎng)期可持續(xù)增長(zhǎng)的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的推動(dòng)下，英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。采格萊德工廠為推動(dòng)綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)，新工廠的建設(shè)將進(jìn)一步助力英飛凌滿足日益
關(guān)鍵字：英飛凌科技功率半導(dǎo)體

2019年6月4日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新產(chǎn)品——XENSIVTM DPS368。這是一款能夠同時(shí)測(cè)量溫度與氣壓的小型化數(shù)字氣壓傳感器。此產(chǎn)品具有±2 cm的超高精度以及低功耗，十分適于海拔、氣流以及身體運(yùn)動(dòng)的精確測(cè)量，這也使之成為那些支持移動(dòng)追蹤以及導(dǎo)航功能的手機(jī)和可穿戴設(shè)備的理想之選。不僅如此，它還適用于家電（進(jìn)行氣流調(diào)節(jié)）、無(wú)人機(jī)（維持飛行穩(wěn)定性）以及醫(yī)療器械（如智能吸入器）。得益于其可靠的封裝，DPS368可在50米深的水下保持
關(guān)鍵字：英飛凌科技數(shù)字氣壓傳感器

2019年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將發(fā)布新的電流傳感器家族系列產(chǎn)品，并攜其首個(gè)家族成員亮相今年的PCIM貿(mào)易展。這個(gè)家族系列產(chǎn)品將由高度精確和穩(wěn)定的無(wú)磁芯霍爾傳感器組成。它們可提供很高的靈活性，允許客戶單獨(dú)設(shè)置產(chǎn)品參數(shù)，如電流范圍、過(guò)流閾值和輸出模式等。首款產(chǎn)品XENSIV? TLI4971的測(cè)量范圍為±25 A至±120 A。它適用于工業(yè)應(yīng)用，如高達(dá)50 kW的電力驅(qū)動(dòng)裝置或光伏逆變器。這個(gè)產(chǎn)品家族的其他成員將于2020年陸續(xù)問(wèn)
關(guān)鍵字：英飛凌科技 XENSIV? TLI4971

2019年5月8日，德國(guó)諾伊比貝爾格（Neubiberg） – 英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）公布了2019財(cái)年第二季度的業(yè)績(jī)（截至2019年3月31日）。要點(diǎn)如下：·2019財(cái)年第二季度：營(yíng)收19.83億歐元；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3.32億歐元；利潤(rùn)率為16.7%。·對(duì)2019財(cái)年第三季度的展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1.15，環(huán)比營(yíng)收增長(zhǎng)將達(dá)到1%（正負(fù)兩個(gè)百分點(diǎn)），低于以往的環(huán)比增長(zhǎng)率，利潤(rùn)率將達(dá)到15%?！?duì)2019財(cái)年的展望：營(yíng)收預(yù)期為80億歐元（正負(fù)兩個(gè)百分點(diǎn)），利潤(rùn)
關(guān)鍵字：諾伊比貝爾格英飛凌科技

制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化。這種芯片組的特點(diǎn)是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開(kāi)通行為和高魯棒性的短路行為。在
關(guān)鍵字： FZ1200R45HL3 英飛凌科技 IGBT

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體英飛凌科技 MOSFET

共7條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條英飛凌科技!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)英飛凌科技的理解，并與今后在此搜索英飛凌科技的朋友們分享。創(chuàng)建詞條