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IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

• 摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開(kāi)關(guān)損耗及結(jié)溫。 關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法 　　IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題同器件的工藝問(wèn)題一樣是一個(gè)老問(wèn)題了。在試圖回答該問(wèn)題時(shí)，工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去，人們針對(duì)該問(wèn)題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法，但是到目前為止，仍然沒(méi)有人可以回答這樣的關(guān)鍵問(wèn)題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大。現(xiàn)在，英飛
• 關(guān)鍵字： IGBT  模塊并聯(lián)  模擬分析方法  蒙特卡羅方法  200809