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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 薄膜混合集成電路

          高性能寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 寬帶  低噪聲  放大器  薄膜混合集成電路  共晶工藝  
          共1條 1/1 1

          薄膜混合集成電路介紹

          在同一個(gè)基片上用蒸發(fā)、濺射、電鍍等薄膜工藝制成無(wú)源網(wǎng)路,并組裝上分立的微型元件、器件,外加封裝而成的混合集成電路。所裝的分立微型元件、器件,可以是微型元件、半導(dǎo)體芯片或單片集成電路。   按無(wú)源網(wǎng)路中元件參數(shù)的集中和分布情況,薄膜集成電路分為集中參數(shù)和分布參數(shù)兩種。前者適用范圍從低頻到微波波段,后者只適用于微波波段。   特點(diǎn)與應(yīng)用  與厚膜混合集成電路相比較,薄膜電路的特點(diǎn)是所制作的元件 [ 查看詳細(xì) ]

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