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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 蝕刻

          SSEC晶圓蝕刻制程平臺專用多路徑回收排放管路

          •   先進(jìn)封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC,DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺設(shè)計的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設(shè)計能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品,且?guī)缀醪粫斐苫瘜W(xué)品的交叉污染,而且能夠形成獨特的化學(xué)品排放路徑,并維持SSEC出色的化學(xué)品儲存值。此外,即時冷卻功能可對現(xiàn)今微細(xì)特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  蝕刻  

          超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹

          • 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹目前,集成度呈越來越高的趨勢,許多公司紛紛開始SOC技術(shù),但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題,因此在封裝研究中心(PRC)以及許多其它研究機(jī)構(gòu),均將系統(tǒng)封裝(SOP或稱SiP)視為SOC解決方案
          • 關(guān)鍵字: 蝕刻  工藝技術(shù)    

          印制電路板蝕刻過程中的需注意的地方

          • 蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡單,但實際上,如果在蝕刻階段出現(xiàn)問題將會影響板子的最終質(zhì)量,特別是在生產(chǎn)細(xì)紋或高精度印制電路板時,尤為重要。在制作過程中經(jīng)常遇見的兩個問題是側(cè)蝕和鍍層突
          • 關(guān)鍵字: 印制電路板  蝕刻  過程    

          利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

          • 近幾年來III族氮化物(III-Nitride)高亮度發(fā)光二極體(High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED)深獲廣大重視,目前廣泛應(yīng)用于交通號志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方
          • 關(guān)鍵字: 效率  產(chǎn)能  方法  萃取  LED  蝕刻  工藝  提高  利用  

          印制電路板蝕刻過程中的問題

          • 蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡單,但實際上,如果在蝕刻階段出現(xiàn)問題將會影響板子的最終質(zhì)量,特別是在生產(chǎn)細(xì)紋或高精度印制電路板時,尤為重要。在制作過程中經(jīng)常遇見的兩個問題是側(cè)蝕和鍍層突
          • 關(guān)鍵字: 印制電路板  蝕刻  過程    

          PCB外層電路的加工蝕刻

          •  目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用圖形電鍍法。即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?! ∫⒁獾氖?這時的板子上
          • 關(guān)鍵字: PCB  電路  加工  蝕刻    

          IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物

          •   IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺?;衔?PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前,在歐盟以及其它 一些國家的環(huán)保部門出臺限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后,美國環(huán)保署也出臺了限制在消費級產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中使用這兩種化合物的法規(guī),這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。   不過在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,仍允許使用這兩種化合物,半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過10多年的努力,IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。   IBM公司主管微電
          • 關(guān)鍵字: IBM  光刻  蝕刻  

          澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)

          •   據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強(qiáng)大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標(biāo)記納米級的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬倍的粒子上進(jìn)行書寫或者蝕刻.   電子束曝光技術(shù)可直接刻畫精細(xì)的圖案,是實驗室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕.   MCN的臨時負(fù)責(zé)人阿
          • 關(guān)鍵字: 納米  EBL  蝕刻.  
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          蝕刻介紹

            蝕刻   蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。   目錄   1蝕刻原理   2工藝流程   3注意問題   1蝕刻原理   通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻(photochemical etching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時接 [ 查看詳細(xì) ]

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