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蝕刻
蝕刻 文章 進(jìn)入蝕刻技術(shù)社區(qū)
SSEC晶圓蝕刻制程平臺(tái)專用多路徑回收排放管路
- 先進(jìn)封裝與半導(dǎo)體元件、高亮度發(fā)光二極體與硬碟制造之單晶圓濕制程系統(tǒng)大廠美國(guó)固態(tài)半導(dǎo)體設(shè)備(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 發(fā)表專為 WaferEtch 平臺(tái)設(shè)計(jì)的多路徑回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。專屬的排放管路設(shè)計(jì)能在相同的反應(yīng)室內(nèi)收集、再循環(huán)、并隔絕多種化學(xué)品，且?guī)缀醪粫?huì)造成化學(xué)品的交叉污染，而且能夠形成獨(dú)特的化學(xué)品排放路徑，并維持SSEC出色的化學(xué)品儲(chǔ)存值。此外，即時(shí)冷卻功能可對(duì)現(xiàn)今微細(xì)特征蝕刻應(yīng)用提供更佳的制程控制
- 關(guān)鍵字： 晶圓 蝕刻
IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物
- IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺酰基化合物(PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國(guó)家的環(huán)保部門出臺(tái)限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國(guó)環(huán)保署也出臺(tái)了限制在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 不過(guò)在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 IBM公司主管微電
- 關(guān)鍵字： IBM 光刻 蝕刻
澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)
- 據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報(bào)道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強(qiáng)大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標(biāo)記納米級(jí)的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬(wàn)倍的粒子上進(jìn)行書(shū)寫(xiě)或者蝕刻. 電子束曝光技術(shù)可直接刻畫(huà)精細(xì)的圖案,是實(shí)驗(yàn)室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬(wàn)美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕. MCN的臨時(shí)負(fù)責(zé)人阿
- 關(guān)鍵字： 納米 EBL 蝕刻.
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蝕刻介紹
蝕刻
蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。
目錄
1蝕刻原理
2工藝流程
3注意問(wèn)題
1蝕刻原理
通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻（photochemical etching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接 [ 查看詳細(xì) ]
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