襯底 文章 進入襯底技術(shù)社區(qū)
成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實際生產(chǎn)中。中央硝子運用基于計算機的計算化學(xué)，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
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車規(guī)碳化硅功率模塊——襯底和外延篇
- 中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對于核心的功率器件的要求。安
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基于襯底驅(qū)動技術(shù)的模擬電路設(shè)計
- 隨著亞微米、深亞微米技術(shù)和系統(tǒng)芯片（SOC）技術(shù)的日益成熟，功耗已經(jīng)成為模擬電路設(shè)計中首要考慮的問題，低電壓低功耗集成電路設(shè)計漸漸成為主流。因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS，所以經(jīng)常
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一種低壓低功耗襯底驅(qū)動軌至軌運算放大器設(shè)計
- 介紹了一種基于襯底驅(qū)動技術(shù)的低電壓低功耗運算放大器。輸入級采用襯底驅(qū)動MOSFET，有效避開閾值電壓限制；輸出采用改進前饋式AB類輸出級，確保了輸出級晶體管的電流能夠得到精確控制，使輸出擺幅達到軌至軌。整個電路采用PTM標(biāo)準(zhǔn)0.18 μm CMOS工藝參數(shù)進行設(shè)計，用Hspice進行仿真。模擬結(jié)果顯示，測得直流開環(huán)增益為62.1 dB，單位增益帶寬為2.13 MHz，相位裕度52°，電路在0.8 V低電壓下正常運行，電路平均功耗只有65.9 μW。
- 關(guān)鍵字： 低壓 低功耗 襯底 驅(qū)動
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