超級結(jié) 文章 進入超級結(jié)技術(shù)社區(qū)
一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
- 平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和： RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結(jié)
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超級結(jié)介紹
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