超級(jí)結(jié)mosfet 文章 進(jìn)入超級(jí)結(jié)mosfet技術(shù)社區(qū)
Ameya360：平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET區(qū)別
- 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因?yàn)榻酉聛淼膸灼獙⒄劤?jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯觯琒i-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)MOSFET
同類最佳的超級(jí)結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢(shì)的IGBT用于電動(dòng)汽車充電樁
- 插電式混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(xEV)包含一個(gè)高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護(hù)功能的充電樁對(duì)于實(shí)現(xiàn)以盡可能短的充電時(shí)間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測(cè)、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關(guān)鍵字： 超級(jí)結(jié)MOSFET IGBT 充電樁
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超級(jí)結(jié)mosfet介紹
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