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意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效
- 2024 年 3 月 28 日，中國– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(OBC)和采用軟硬件開關(guān)拓撲的DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來卓越的能效和魯棒性。 這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷，兼?zhèn)浜艿偷哪芰繐p耗和優(yōu)異的開關(guān)性能，同時，品質(zhì)因數(shù)成為新的市場標桿。與上一代產(chǎn)品相比，意法半導(dǎo)體最新的MDmesh DM9 技術(shù)確保柵源閾值電壓(VGS(th)) 分布更窄，使開關(guān)波形更加銳利，導(dǎo)通和關(guān)斷
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超結(jié)mosfet介紹
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