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超高速驅動控制文章進入超高速驅動控制技術社區(qū)

ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅動控制”IC 技術

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
關鍵字： ROHM GaN器件超高速驅動控制

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超高速驅動控制介紹

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