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瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認(rèn)證

6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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博通集成電路(上海)股份有限公司是國內(nèi)領(lǐng)先的ETC芯片供應(yīng)商,其ETC車規(guī)產(chǎn)品BK5870T已正式量產(chǎn),并獲得國際第三方實(shí)驗(yàn)室的車規(guī)測(cè)試認(rèn)證,是國內(nèi)首款通過此項(xiàng)認(rèn)證的ETC SoC芯片。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,完成一個(gè)車規(guī)測(cè)試的最短時(shí)間是145天,包含車規(guī)晶圓生產(chǎn)、車規(guī)封裝開發(fā)、三溫測(cè)試及AEC-Q100測(cè)試,其中僅高溫工作壽命測(cè)試就至少需要3個(gè)月時(shí)間。此次為BK5870T提供認(rèn)證的ISE實(shí)驗(yàn)室是國際權(quán)威的車規(guī)測(cè)試機(jī)構(gòu),其認(rèn)證程序更加嚴(yán)格,經(jīng)驗(yàn)證博通集成的ETC產(chǎn)品全面通過此項(xiàng)權(quán)威認(rèn)證。博通集成一直是國內(nèi)ETC
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