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          DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開(kāi)啟內(nèi)存科技新大門

          •   據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究,希望能為內(nèi)存科技打開(kāi)新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新,但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對(duì)外展示它靈活的形式,讓外界為之驚艷。   根據(jù)《CENT》報(bào)導(dǎo),NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成,是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
          • 關(guān)鍵字: 惠普  DRAM  內(nèi)存  軟性憶阻器  
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          軟性憶阻器介紹

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