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          了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

          • 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻,縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單:當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時,源極和漏極之間的電阻非常高,以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時,它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”,漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而,如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為,您應(yīng)該很容易認(rèn)識到該模型與事實不符。首先,F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時(我們在此
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          通態(tài)漏源電阻介紹

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