采樣管p阱浮空技術(shù) 文章 進(jìn)入采樣管p阱浮空技術(shù)技術(shù)社區(qū)

基于線性提升和高速低噪聲比較器技術(shù)的10 bit 160 MSPS SAR ADC設(shè)計(jì)

• 基于采樣管p阱浮空技術(shù)用于寄生電容電荷補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)采樣開(kāi)關(guān)高線性度。使串聯(lián)的兩個(gè)寄生電容的容值變化方向相反，從而實(shí)現(xiàn)了容值的相互補(bǔ)償，使輸入管的寄生電容容值不隨輸入信號(hào)幅度變化，相較傳統(tǒng)技術(shù)，采樣開(kāi)關(guān)的線性度得到進(jìn)一步提高。另一方面，提出了一種高速低噪聲動(dòng)態(tài)比較器技術(shù)，減小了MOS管的導(dǎo)通電阻，增加了比較器速度，通過(guò)襯底自舉技術(shù)，使比較器輸入管的閾值電壓明顯降低，跨導(dǎo)增加，從而降低了比較器的等效輸入噪聲，解決了動(dòng)態(tài)比較器速度和噪聲之間必須進(jìn)行折中的技術(shù)難點(diǎn)。
• 關(guān)鍵字： 10 bit 160 MSPS  采樣管p阱浮空技術(shù)  高速低噪聲比較器  202112