量子隧穿效應(yīng) 文章 進(jìn)入量子隧穿效應(yīng)技術(shù)社區(qū)

芯片制程突破1nm后，這個(gè)發(fā)展方向很有前景

• 眾所周知，芯片的工藝是越來(lái)越先進(jìn)，臺(tái)積電的代工能力已經(jīng)到5nm了，而且直言不諱的表示3nm、2nm已經(jīng)在路上了。隨著集成電路的發(fā)展，計(jì)算機(jī)一直受到摩爾定律的支配，目前，芯片都是由硅為基礎(chǔ)，在上面刻蝕電路，但是，理論研究表明，當(dāng)芯片制程達(dá)到1nm的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)，就是電子不受控制，所以這是人們很擔(dān)心的問(wèn)題，1nm后怎么辦？芯片上有無(wú)數(shù)個(gè)晶體管，他們是芯片的核心，也就說(shuō)，目前的技術(shù)是要把晶體管做的越來(lái)越小，這樣，芯片上能容納的晶體管就很多，芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長(zhǎng)度的二硫
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