鐵電存儲(chǔ)體 文章 進(jìn)入鐵電存儲(chǔ)體技術(shù)社區(qū)

新紀(jì)錄：日本學(xué)者研制出4Tbit/平方英寸存儲(chǔ)密度的鐵電存儲(chǔ)體

• 　　據(jù)美國(guó)物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報(bào)道，日本東北大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谠囼?yàn)室中使用鐵電存儲(chǔ)技術(shù)將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)密度提升到了每平方英寸4Tbit，達(dá)成了鐵電存儲(chǔ)體的新世界紀(jì)錄，如此等級(jí)的存儲(chǔ)密度要比現(xiàn)有最高級(jí)的磁記錄型硬盤的存儲(chǔ)密度要高上7倍左右。 　　這種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備使用一個(gè)尖頂懸臂對(duì)鐵電體存儲(chǔ)材料進(jìn)行讀寫操作。進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對(duì)應(yīng)位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，則使用尖頂來(lái)偵測(cè)附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來(lái)讀取數(shù)據(jù)。
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