鎧俠文章進(jìn)入鎧俠技術(shù)社區(qū)

鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標(biāo)打造出較 DRAM
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手機(jī)性能升級，UFS 4.0的角色很關(guān)鍵

智能手機(jī)已經(jīng)成為我們不可或缺的AI設(shè)備，隨身運(yùn)行的大模型，人工智能圖像與視頻識別，讓手機(jī)的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發(fā)布，新一輪的裝備升級勢在必行。更強(qiáng)的CPU、GPU和NPU給端側(cè)的AI性能帶來了更多可能，但也給存儲帶來全新的挑戰(zhàn)，搭載AI的系統(tǒng)和本地大模型如何被高效的運(yùn)用和讀取，在網(wǎng)絡(luò)信號不佳的前提下，存儲能否擔(dān)當(dāng)起及時的AI響應(yīng)，本地存儲空間是否足夠離線模型的存儲？這時候，UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實早已在高性能手機(jī)中被廣泛使用，不像
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器
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鎧俠發(fā)布EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列

鎧俠株式會社，全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商，近日宣布推出EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列。該系列是一款全新的外置存儲解決方案，計劃于近日(1) 上市。EXCERIA PLUS G2移動固態(tài)硬盤系列采用鎧俠的SSD技術(shù)和BiCS FLASH? 3D閃存，并采用緊湊、優(yōu)雅、便攜?(2) 的設(shè)計，特別適合需隨身攜帶數(shù)據(jù)的用戶。該移動固態(tài)硬盤系列小巧便攜，手掌大小即可存儲多達(dá)2TB的數(shù)據(jù)，同時它還具有極高的抗震性，符合MIL-STD跌落試驗標(biāo)準(zhǔn)(3) 。與上一代EXCERIA PLUS移動
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如何打造高性價比的數(shù)據(jù)中心？

隨著第六代至強(qiáng)數(shù)據(jù)中心處理器發(fā)布，給AI、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、安全、存儲和HPC帶來新一輪的應(yīng)用升級。作為針對可持續(xù)性設(shè)計的數(shù)據(jù)中心級處理器，提升效能和性價比成為應(yīng)對當(dāng)下數(shù)據(jù)和應(yīng)用需求暴增需求的關(guān)鍵。存儲作為數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵角色之一，同樣承擔(dān)起了推動效能與性價比的責(zé)任，那么在新一輪數(shù)據(jù)中心硬件升級的環(huán)境下，有效利用合理資源打造高性價比數(shù)據(jù)中心，就變得尤為重要了。分布式存儲打開思路在控制成本的選項中，分布式存儲系統(tǒng)是一個分布式存儲系統(tǒng)是一種可擴(kuò)展的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，利用多臺存儲服務(wù)器協(xié)同工作，實現(xiàn)負(fù)荷分擔(dān)，并提升了系統(tǒng)的可
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第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備提供了更多潛在可能。技
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閃存大廠鎧俠IPO又進(jìn)一步

近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進(jìn)行IPO。鎧俠預(yù)計籌資規(guī)模將達(dá)到5億美元，如若IPO順利進(jìn)行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內(nèi)啟動其IPO流程，至于IPO的具體細(xì)節(jié)仍在討論之中，可能會根據(jù)市場環(huán)境的變化而有所調(diào)整。該公司的估值預(yù)計將超過1.5萬億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團(tuán)獨(dú)立出來，2020年鎧俠獲準(zhǔn)在東京證券交易所上市，不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
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存儲大廠鎧俠離IPO又進(jìn)一步！

近期，媒體報道存儲大廠鎧俠正準(zhǔn)備盡快提交初步申請，預(yù)計8月底前正式向東京證券交易所提交申請，目標(biāo)10月底首次公開發(fā)行（IPO）。為了趕在計劃期限前完成上市，鎧俠的籌備工作在比以往任何時候都要快的速度進(jìn)行。不過有業(yè)內(nèi)人士稱，上市時間有可能會推遲到12月，同時這次IPO籌集的資金可能低于2020年時的初始估值，當(dāng)時其管理層預(yù)計鎧俠的價值達(dá)到160億美元。目前鎧俠的多數(shù)股權(quán)是由私募股權(quán)公司貝恩資本牽頭的投資者集團(tuán)持有，希望通過IPO出售部分股權(quán)以籌集資金。此外，東芝也持有鎧俠約40%的股權(quán)。在今年1月至3月的財
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鎧俠產(chǎn)能滿載傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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AI算力升級，存儲將扮演什么角色？

近期AI計算平臺已經(jīng)迎來新一輪升級。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU，到Intel發(fā)布至強(qiáng)6，再到AMD的銳龍和EPYC處理器，無一不在強(qiáng)調(diào)AI加速的重要性。特別是在PC領(lǐng)域，Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢待發(fā)，基于x86的AI PC更是鎖定先進(jìn)制程，將AI TOPS和應(yīng)用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。AI時代的到來，勢必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算、終端應(yīng)用所搭載的存儲器容量都呈現(xiàn)出倍數(shù)增長模式，DRAM、NAND Flash需求量大增，甚至推動新一輪的技術(shù)變革，HBM、CXL技術(shù)都是很
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？兩座NAND工廠開工率提高至100%

據(jù)日經(jīng)新聞報道，鑒于市場正在復(fù)蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據(jù)
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全球兩大存儲廠新消息！

近日，三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達(dá)到3.2Gbps。除了這個新接口外，三星還計劃通過擴(kuò)大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
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鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片：連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機(jī)在內(nèi)的下一代移動應(yīng)用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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3D NAND，1000層競爭加速

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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