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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究
- 系統(tǒng)級封裝(System in Package,SiP)設(shè)計理念是實現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而,SiP空間有限,功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計、3D堆疊等;以及不同的電源互連方式,包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面,對比了不同方案的優(yōu)缺點,為電源SiP的設(shè)計提供參考。
- 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)級封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
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