鎂光 文章 進入鎂光技術(shù)社區(qū)
鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃 將專注于制程提升
- 繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃，鎂光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，而是應當把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時要非常謹慎，以避免犯下和過去一樣的錯誤。 2005年，全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴增
- 關鍵字： 鎂光 內(nèi)存芯片
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
- 關鍵字： 鎂光 NAND 25nm
鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開始研制。 兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 這款42nm 2Gb
- 關鍵字： 鎂光 內(nèi)存芯片 DDR3
Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制
- 在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務的IM閃存技術(shù)公司。 除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
- 關鍵字： 鎂光 NAND 閃存
鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
- 鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
- 關鍵字： 鎂光 NAND 閃存芯片 34nm
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