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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 長江存儲

          長江存儲再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

          • IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品,并支付專利使用費。長江存儲指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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          國產(chǎn)閃存受阻:三星馬上就漲價!

          • 在閃存領(lǐng)域突飛猛進的長江存儲,還是遭到了美國的制裁,被列入“實體清單”,幾乎是同一時間,三星就開始漲價了!DigiTimes報道稱, 隨著長江存儲遭到制裁,部分PC廠商不得不暫停合作,而面對突然增加的市場需求,三星將其3D NAND閃存的報價提高了10%。當(dāng)然,同樣作為NAND閃存巨頭,SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機會獲得更多市場,但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商,今年第二季度份額為33% ,雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下,SK
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          長江存儲發(fā)布嚴(yán)正聲明

          • 10月20日晚,長江存儲發(fā)布嚴(yán)正聲明,以下為聲明全文:近日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”或“我司”)發(fā)現(xiàn)個別媒體通過多種渠道刊登、散布“工信部與國內(nèi)主要半導(dǎo)體企業(yè)過去一周召開了一系列緊急會議,尋求評估拜登政府針對芯片祭出的限制措施所造成的損害,并承諾對這個半導(dǎo)體行業(yè)的支持”的信息,并散布關(guān)于我司參與閉門會議的不實言論。面對謠言,長江存儲一貫堅持清者自清。但在目前市場環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢下,上述用心險惡的不實言論不止傷害了長江存儲的企業(yè)形象,還將對國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴(yán)
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          拆機證實,國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產(chǎn) NAND 閃存

          • IT之家 9 月 16 日消息,9 月 8 日,蘋果召開新品發(fā)布會,正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機,起價 5999 元。在此之前,韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經(jīng)進入蘋果供應(yīng)鏈,將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片,但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前,蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此,市場觀察人士認為,蘋果與長江存儲合作,將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進一步
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          目前已經(jīng)上市 長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0 SSD

          • 今日消息,長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0固態(tài)硬盤 PE310系列,適用于大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景。這個系列采用U.2接口,支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議,而且搭載自家第三代三維閃存芯片,讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB,混合應(yīng)用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外,其4K隨機讀、寫穩(wěn)態(tài)性能高達1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是,長江存儲PE310系列固態(tài)硬盤已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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          布局企業(yè)級存儲市場 長江存儲推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列

          • 長江存儲首款企業(yè)級PCIe 4.0固態(tài)硬盤PE310系列的推出,是長江存儲對企業(yè)級存儲市場的重要布局,也標(biāo)志著長江存儲存儲系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲。2022年7月25日,長江存儲推出首款企業(yè)級PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列,正式進入高端企業(yè)級固態(tài)硬盤市場。該產(chǎn)品是繼消費級固態(tài)硬盤、嵌入式存儲器之后,長江存儲在存儲系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長江存儲PE310系列基于晶棧?2.0(Xtacking?2.0)技術(shù)
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          長江存儲推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時代存儲升級

          • 近日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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          長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

          • 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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          祥龍電業(yè):小而干凈的國企殼,會注入長江存儲半導(dǎo)體還是氫能源

          • 1、國企改革背景今年是國企改革三年行動的最后一年,也是收官之年。國企改革的目標(biāo)是支持企業(yè)做大做強,實現(xiàn)企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展,提升公司的資產(chǎn)證券化率。三年行動計劃強調(diào)國企向優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈靠近,鼓勵國企布局新興產(chǎn)業(yè),此背景下相關(guān)央企有望在業(yè)績改善的同時獲得估值重塑。湖北省和武漢市最近在國企改革方面也是頻頻出手,我們先來看下最近的幾個案例2022年3月,榮豐控股公告變更實控人。原控股股東盛世達投資與湖北新動能基金簽署了《股份轉(zhuǎn)讓框架協(xié)議》,實控人變成湖北省國資委。2022年3月28日,三峽旅游注入新的資產(chǎn)。2022年4
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          存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

          • 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢姡瑖a(chǎn)存儲芯片,在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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          中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

          • 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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          國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預(yù)計年底量產(chǎn)

          • 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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          國產(chǎn)技術(shù)進步:長江存儲或跳過192層閃存 切入232層

          • 2016年成立的長江存儲,于2017年通過自主研發(fā)和國際合作的方式,設(shè)計制造了首款3D NAND閃存。2019年,長江存儲晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功,推進到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域,通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進程度的指標(biāo)。DT報道稱,業(yè)內(nèi)人士給出消息稱,長江存儲計劃跳過192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國研究機構(gòu)OERI的一份報告,其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年,理由是三星和SK海力士明年初會量產(chǎn)超200層閃存,
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          國產(chǎn)芯片彎道超車:曝長江存儲欲直接量產(chǎn)232層閃存

          • 國產(chǎn)芯片領(lǐng)域中,存儲芯片的表現(xiàn)和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前有消息稱國產(chǎn)存儲芯片大廠已經(jīng)完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發(fā),并在今年年底前會實現(xiàn)量產(chǎn)交付。而目前有消息稱,長江存儲計劃跳過192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。這意味著,如果長江存儲實現(xiàn)量產(chǎn)232層閃存芯片,我國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達到國際先進水平。而目前三星和SK海力士明年初會量產(chǎn)超200層閃存,長江存儲越過192層,直接生產(chǎn)232層,將到達一線水平。
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          長江存儲官宣:擁有7%全球市場份額

          • 相信大家都知道,我國在芯片領(lǐng)域一直都存在很大的技術(shù)短板,無論是在PC芯片、手機芯片,還是在閃存芯片等領(lǐng)域,目前國內(nèi)科技企業(yè)都絕大部分依賴于進口,就連前一段時間韓國方面也正式對外公布了《2020年韓國半導(dǎo)體出口金額》數(shù)據(jù)報告,其中明確提到韓國半導(dǎo)體出口金額高達992億美元,并且其中有超過50%+半導(dǎo)體產(chǎn)品是被銷往中國市場,而這些產(chǎn)品主要有內(nèi)存、閃存、OLED屏幕等,確實我們在這些產(chǎn)品領(lǐng)域,整體國產(chǎn)化程度還非常的低,這些產(chǎn)品主要也被韓系廠商所壟斷,例如三星、LG、SK海力士等等,在AMOLED屏幕領(lǐng)域,幾乎壟
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          長江存儲介紹

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