長(zhǎng)江存儲(chǔ) 文章 進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)
首款晶棧Xtacking 2.0技術(shù)!
- 12月18日消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日推出了PE321固態(tài)硬盤,憑借其第三代三維閃存技術(shù),以高達(dá)6.4TB的容量引起了廣泛關(guān)注?,F(xiàn)在這款SSD已經(jīng)來到我們?cè)u(píng)測(cè)室,下面為大家?guī)韴D賞。PE321是長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術(shù)的PCIe 4.0企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。其最大順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到6400MB/s,讀取速度更是高達(dá)6800MB/s,這在處理大容量數(shù)據(jù)時(shí)無疑是巨大的優(yōu)勢(shì)。隨機(jī)讀寫性能方面同樣不俗,在進(jìn)行4K隨機(jī)讀寫測(cè)試時(shí),其寫入性能穩(wěn)步達(dá)到650k IOPS,讀取性能為580k IOPS,這使得它
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)之光!長(zhǎng)江存儲(chǔ):沒打算上市 更不會(huì)借殼
- 12月9日消息,針對(duì)外界的傳聞,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開回應(yīng)稱,他們沒有上市的打算。長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明稱,近期多家媒體捏造、散布和傳播長(zhǎng)江存儲(chǔ)“借殼上市”的不實(shí)傳聞。為澄清事實(shí),我司發(fā)表聲明如下:一、長(zhǎng)江存儲(chǔ)從無任何“借殼上市”的意愿。 二、長(zhǎng)江存儲(chǔ)與“萬潤(rùn)科技”等上市公司無直接業(yè)務(wù)合作。三、請(qǐng)相關(guān)單位自重并立即停止一切失實(shí)報(bào)道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的權(quán)利。作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)之光,之前有消息稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)在面臨美國(guó)出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下,已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”,在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利
- IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道,中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),日前再次將美光告上法院,在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品,并支付專利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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國(guó)產(chǎn)閃存受阻:三星馬上就漲價(jià)!
- 在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ),還是遭到了美國(guó)的制裁,被列入“實(shí)體清單”,幾乎是同一時(shí)間,三星就開始漲價(jià)了!DigiTimes報(bào)道稱, 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)遭到制裁,部分PC廠商不得不暫停合作,而面對(duì)突然增加的市場(chǎng)需求,三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10%。當(dāng)然,同樣作為NAND閃存巨頭,SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場(chǎng),但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商,今年第二季度份額為33% ,雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下,SK
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明
- 10月20日晚,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明,以下為聲明全文:近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”)發(fā)現(xiàn)個(gè)別媒體通過多種渠道刊登、散布“工信部與國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體企業(yè)過去一周召開了一系列緊急會(huì)議,尋求評(píng)估拜登政府針對(duì)芯片祭出的限制措施所造成的損害,并承諾對(duì)這個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的支持”的信息,并散布關(guān)于我司參與閉門會(huì)議的不實(shí)言論。面對(duì)謠言,長(zhǎng)江存儲(chǔ)一貫堅(jiān)持清者自清。但在目前市場(chǎng)環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢(shì)下,上述用心險(xiǎn)惡的不實(shí)言論不止傷害了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的企業(yè)形象,還將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴(yán)
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拆機(jī)證實(shí),國(guó)行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息,9 月 8 日,蘋果召開新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī),起價(jià) 5999 元。在此之前,韓媒消息稱中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈,將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認(rèn)正考慮從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購 NAND 芯片,但僅會(huì)用于在中國(guó)銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前,蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商。因此,市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為,蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
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目前已經(jīng)上市 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0 SSD
- 今日消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣推首款企業(yè)級(jí)PCIe4.0固態(tài)硬盤 PE310系列,適用于大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景。這個(gè)系列采用U.2接口,支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議,而且搭載自家第三代三維閃存芯片,讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB,混合應(yīng)用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外,其4K隨機(jī)讀、寫穩(wěn)態(tài)性能高達(dá)1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是,長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列固態(tài)硬盤已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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布局企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列
- 長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0固態(tài)硬盤PE310系列的推出,是長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要布局,也標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、流媒體等云存儲(chǔ)場(chǎng)景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。2022年7月25日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出首款企業(yè)級(jí)PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列,正式進(jìn)入高端企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)。該產(chǎn)品是繼消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)器之后,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PE310系列基于晶棧?2.0(Xtacking?2.0)技術(shù)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)
- 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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祥龍電業(yè):小而干凈的國(guó)企殼,會(huì)注入長(zhǎng)江存儲(chǔ)半導(dǎo)體還是氫能源
- 1、國(guó)企改革背景今年是國(guó)企改革三年行動(dòng)的最后一年,也是收官之年。國(guó)企改革的目標(biāo)是支持企業(yè)做大做強(qiáng),實(shí)現(xiàn)企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展,提升公司的資產(chǎn)證券化率。三年行動(dòng)計(jì)劃強(qiáng)調(diào)國(guó)企向優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈靠近,鼓勵(lì)國(guó)企布局新興產(chǎn)業(yè),此背景下相關(guān)央企有望在業(yè)績(jī)改善的同時(shí)獲得估值重塑。湖北省和武漢市最近在國(guó)企改革方面也是頻頻出手,我們先來看下最近的幾個(gè)案例2022年3月,榮豐控股公告變更實(shí)控人。原控股股東盛世達(dá)投資與湖北新動(dòng)能基金簽署了《股份轉(zhuǎn)讓框架協(xié)議》,實(shí)控人變成湖北省國(guó)資委。2022年3月28日,三峽旅游注入新的資產(chǎn)。2022年4
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷
- 中國(guó)芯片傳來捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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國(guó)產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步:長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過192層閃存 切入232層
- 2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ),于2017年通過自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式,設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功,推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域,通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱,業(yè)內(nèi)人士給出消息稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告,其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年,理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存,
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條長(zhǎng)江存儲(chǔ)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的理解,并與今后在此搜索長(zhǎng)江存儲(chǔ)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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