閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

新型存儲(chǔ)設(shè)備可保存數(shù)據(jù)10億年

　　科學(xué)家們?nèi)涨把兄瞥鲆环N新型存儲(chǔ)設(shè)備,其最大特點(diǎn)是存儲(chǔ)容量大,保存時(shí)間久. 　　這種新型存儲(chǔ)設(shè)備其實(shí)就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內(nèi),通過(guò)鐵顆粒在納米管內(nèi)來(lái)回穿梭作為一種有效的存儲(chǔ)方式.研究人員表示,這種存儲(chǔ)設(shè)備每平方英寸可存儲(chǔ)1TB(1000G)數(shù)據(jù),較當(dāng)前存儲(chǔ)技術(shù)更為有效.此外,新設(shè)備的數(shù)據(jù)保存時(shí)間更持久,可長(zhǎng)達(dá)10億年,甚至更久. 　　相比之下,當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)根本無(wú)法將數(shù)據(jù)保持如此之久.例如,普通的閃存技術(shù)只能保存數(shù)據(jù)3至5年. 　　寫(xiě)在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專(zhuān)利許可協(xié)議

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國(guó)芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過(guò)協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。　　三星在提交給韓國(guó)證交所的文件中稱(chēng)，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無(wú)法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長(zhǎng)和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿(mǎn)意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們?cè)诳刂瀑Y本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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SanDisk首席執(zhí)行官稱(chēng)摩爾定律未來(lái)5年后失效

　　消息稱(chēng),閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來(lái)5年后摩爾定律將會(huì)失效. 　　摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每?jī)赡陮⒎环?哈拉里說(shuō),閃存容量在過(guò)去19年中翻了14番,遠(yuǎn)高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番. 　　哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量.最初,每個(gè)存儲(chǔ)單元的電子數(shù)量數(shù)以百萬(wàn)計(jì),現(xiàn)在已經(jīng)減少到了數(shù)百個(gè).哈拉里
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美硅谷公司開(kāi)發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國(guó)硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲(chǔ)器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說(shuō)，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專(zhuān)家認(rèn)為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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Spansion一季度調(diào)整盤(pán)點(diǎn) 為重組精心準(zhǔn)備

　　經(jīng)歷了2月35%的大裁員、Spansion Japan申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，以及易帥風(fēng)波之后，Spansion發(fā)布了截至到2009年3月29日的第一財(cái)季財(cái)報(bào)。　　好消息是第一季度的閃存市場(chǎng)具有一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的價(jià)格環(huán)境，Spansion第一季度凈銷(xiāo)售額為4億美元。由于公司管理層實(shí)行積極舉措來(lái)降低成本，第一季度非GAAP運(yùn)營(yíng)總費(fèi)用為1.12億美元，其中包括1300萬(wàn)美元的重建費(fèi)用，比2008年第一季度減少了約43%。凈虧損為1.12億美元，與2008年同期相比降低了800萬(wàn)美元。截止至2009年第一季度，Spa
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三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

　　三星電子宣布已開(kāi)始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝，適用于高端手機(jī)和其他移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲(chǔ)密度是當(dāng)前40nm16Gb的兩倍。　　每一個(gè)32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個(gè)MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規(guī)范，支持縮短啟動(dòng)時(shí)間的加電啟動(dòng)功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個(gè)固件，能夠改善處理、存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)
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東芝全球首家出貨32nm工藝閃存

　　東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開(kāi)始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲(chǔ)卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。　　目前，東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應(yīng)商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應(yīng)用將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，減小芯片體積，適應(yīng)更高容量，更小巧的掌上產(chǎn)品需求。　　東芝的32nm工藝32Gb
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恒憶推出針對(duì)汽車(chē)和嵌入式應(yīng)用的工作電壓為5伏的NOR閃存

　　恒憶近日宣布公司正在擴(kuò)展其主流NOR閃存產(chǎn)品線，其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產(chǎn)品。此器件工作電壓為5伏，非常適合汽車(chē)和嵌入式應(yīng)用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb，具有快速存儲(chǔ)執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性，適合于汽車(chē)、軍工、工廠自動(dòng)化及航天應(yīng)用。　　汽車(chē)及嵌入式應(yīng)用需要高質(zhì)量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達(dá)5年，或甚至更長(zhǎng)。然而，大多數(shù)存儲(chǔ)器供應(yīng)商趨于最新更新的技術(shù)，這些關(guān)鍵產(chǎn)品生產(chǎn)通常會(huì)斷斷續(xù)續(xù)，這
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靈活應(yīng)變創(chuàng)新領(lǐng)航——恒億CTO兼副總裁Edward Doller

　　由于全球性金融危機(jī)，很多公司正經(jīng)歷前所未有的艱難時(shí)期。恒億(Numonyx)2008年5月成立，前身是Intel和ST的內(nèi)存部門(mén)。公司自成立之初，就成為全球三大閃存供應(yīng)商之一，最大的無(wú)線通信MCP(多芯片封裝，可融合多種內(nèi)存技術(shù))供應(yīng)商。迄今為止，恒億財(cái)務(wù)狀況良好，2008年4季度速動(dòng)比率*達(dá)到2以上，在同行中居領(lǐng)先地位。 Edward Doller 恒億CTO兼副總裁　　恒億的策略是給客戶(hù)提供一套完整的解決方案，包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲(chǔ)技術(shù)——PCM
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閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
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業(yè)界稱(chēng)Windows 7將推動(dòng)NAND閃存芯片需求

3月21日消息，內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)Windows 7的將推動(dòng)NAND閃存芯片的需求，因?yàn)檫@種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場(chǎng)不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤(pán)以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)廠商和筆記本電腦廠商的重點(diǎn)。
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恒憶首次登陸北京IIC盛會(huì)

　　2009年3月5日，北京訊，第十四界國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China)作為中國(guó)最具影響力的電子行業(yè)盛會(huì)于3月5日在北京隆重開(kāi)幕。恒憶（Numonyx）的首席技術(shù)官兼副總裁Edward Doller在大會(huì)上發(fā)表了重要主題演講，解讀存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的不斷演進(jìn)和目前所面臨的挑戰(zhàn)，并分享了恒憶在閃存領(lǐng)域的最新技術(shù)突破，以及當(dāng)前在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)下，公司如何保持持續(xù)領(lǐng)先的應(yīng)對(duì)策略。　　由于全球性金融危機(jī)，2008年對(duì)于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙，在這種困難時(shí)期，恒憶公司憑借其先進(jìn)的解決方案，
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全球最大閃存芯片商破產(chǎn)中國(guó)區(qū)勉力自保

??????? 金融危機(jī)下的消費(fèi)疲軟引致芯片需求減弱、價(jià)格下跌。2009年的春天，對(duì)內(nèi)存廠商來(lái)說(shuō)無(wú)疑是個(gè)嚴(yán)冬。此前，芯片巨頭德國(guó)英飛凌旗下奇夢(mèng)達(dá)公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，引發(fā)內(nèi)存界動(dòng)蕩；緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠，中國(guó)臺(tái)灣茂德科技也將倒閉，有消息稱(chēng)臺(tái)灣當(dāng)局已放棄為茂德科技注資挽救。 ??????? 內(nèi)存業(yè)的悲劇還在繼續(xù)上演。前日，全球最大NOR閃存芯片商美國(guó)飛索公司（
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飛索中國(guó)公司拒談破產(chǎn)影響

飛索的今天，其實(shí)在當(dāng)初AMD將其剝離的時(shí)候，就可以預(yù)見(jiàn)。閃存此前的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在工藝和制造技術(shù)上，目前早已不占優(yōu)勢(shì)。繼英特爾關(guān)廠、裁員、將核心業(yè)務(wù)外包，奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)之后，脫胎于芯片巨頭超威半導(dǎo)體公司 (AMD)的NOR閃存頭號(hào)公司——飛索半導(dǎo)體(Spansion)也在日前正式在其發(fā)端地美國(guó)提出破產(chǎn)保護(hù)申請(qǐng)。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]