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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閾值電壓漂移

          IGBT及其子器件的幾種失效模式

          • 摘要:本文通過案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融 1、  引言   IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件,因此,IGBT也是靜電
          • 關(guān)鍵字: 柵擊穿  閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融  電源  
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          閾值電壓漂移介紹

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