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	閾值電壓漂移
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          IGBT及其子器件的幾種失效模式
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融
1、  引言
　　IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件，因此，IGBT也是靜電
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          • 關(guān)鍵字：
                        柵擊穿  閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融  電源                          
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          閾值電壓漂移介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條閾值電壓漂移!
           
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