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          一種超低功耗、容錯(cuò)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了減輕輻射環(huán)境中靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)受單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響以及解決低功耗和穩(wěn)定性的問(wèn)題,采用TSMC 90 nm工藝,設(shè)計(jì)了一款可應(yīng)用于輻射環(huán)境中的超低功耗容錯(cuò)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。該SRAM基于雙互鎖存儲(chǔ)單元(
          • 關(guān)鍵字: 超低功耗  容錯(cuò)  隨機(jī)存    
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          隨機(jī)存介紹

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