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          日美公司制成最小靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)器元件

          •   日本東芝公司、美國(guó)IBM和AMD公司17日聯(lián)合發(fā)表新聞公報(bào)說(shuō),這3家公司共同利用鰭式場(chǎng)效晶體管開(kāi)發(fā)出面積僅0.128平方微米的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)元件,并確認(rèn)這種世界上最小的SRAM元件能夠正常工作。   公報(bào)說(shuō),以往使用平面晶體管制造SRAM元件時(shí),半導(dǎo)體廠家通常依靠向元件內(nèi)注入大量混合物來(lái)調(diào)節(jié)晶體管的特性,從而縮小晶體管的體積。但是,這樣的調(diào)節(jié)方法容易造成晶體管特性參差不齊,從而導(dǎo)致SRAM元件穩(wěn)定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鰭式場(chǎng)效晶體管,被業(yè)界認(rèn)為可以替代以往的
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          隨機(jī)存取儲(chǔ)器介紹

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