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隧穿場效應晶體管文章進入隧穿場效應晶體管技術社區(qū)

高驅動電流的隧穿器件設計

　　陳玉翔（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054）　　摘?要：隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
關鍵字： 202006 隧穿場效應晶體管帶帶隧穿異質結開態(tài)電流

高驅動電流的隧穿器件設計

隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態(tài)電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
關鍵字：隧穿場效應晶體管帶帶隧穿異質結開態(tài)電流

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隧穿場效應晶體管介紹

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