- 在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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MOSFET 雪崩 電流
- 本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實現二級保護的方案；論述了其實現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術和CSP封裝技術的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術參數，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導致電池包不正常工作的問題。
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電池充放電管理 雪崩 短路 漏電流 MOSFET 202112
- 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- 汽車電子模塊要求采取反向電池保護措施，以避免不良電池操作可能導致的損壞風險。肖特基二極管是這種應用的首選器件，因為它們具有很低的前向
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肖特基二極管 雪崩
- 雪崩光電二極管（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極管。施加反向電壓時，能啟動其內部的增益機構。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場強度的作用下工作，光電流的
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- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評
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- 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
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問題 分析 擊穿 雪崩 MOSFET 功率
- 技術人員正在“減勢土墩”上安裝設備
行業:
科研產品:
實時模塊, FPGA模塊, CompactRIO挑戰:
通過收集關于雪流速度和壓力的實時數據，確定雪崩中雪流規律以及雪崩阻滯屏障的有效性。解決
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CompactRIO LabVIEW 法國 雪崩
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中
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- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評定這些參數對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態。
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