靜態(tài)存儲(chǔ)器文章進(jìn)入靜態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

基于W78E516B單片機(jī)的大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

摘要：為解決采集系統(tǒng)中大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及數(shù)據(jù)傳輸問題，對(duì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中基于單片機(jī)大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的應(yīng)用進(jìn)行了 ...
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IBM已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM芯片

　　IBM周一宣布，已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM（靜態(tài)存儲(chǔ)器）單元。　　據(jù)國外媒體報(bào)道，SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)新工藝的設(shè)備，速度更快、體積更小且技術(shù)更復(fù)雜，主要負(fù)責(zé)在數(shù)據(jù)被處理之前暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　IBM認(rèn)為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個(gè)微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機(jī)構(gòu)副總裁陳博士表示：“隨著處理器內(nèi)核數(shù)量增多，人們對(duì)微處理器中存儲(chǔ)器的需求也在日漸增加。為
關(guān)鍵字： IBM SRAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器 22納米

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靜態(tài)存儲(chǔ)器介紹

教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲(chǔ)器組成與設(shè)計(jì) (1)靜態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(P207) (2)教學(xué)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的組成與設(shè)計(jì) 地址總線：記為AB15～AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅(qū)動(dòng)，地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。控制總線：控制總線的信號(hào)由譯碼器74LS139給出，功能是指出總線周期的類型：（1）內(nèi)存寫周期用MMW信號(hào)標(biāo)記（2）內(nèi)存讀周期用MMR信號(hào)標(biāo)記（3）外設(shè)(接口 [ 查看詳細(xì) ]

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基于W78E516B單片機(jī)的大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

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