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靜電放電
靜電放電 文章 進(jìn)入靜電放電技術(shù)社區(qū)
電路設(shè)計(jì)少不了ESD，詳述一下其理論，超詳細(xì)！
- 一直想給大家講講ESD的理論。但是由于理論性太強(qiáng)，如果一些器件理論不懂的話，這個(gè)大家也不要浪費(fèi)時(shí)間看了。任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會(huì)畫雞蛋，注定了你就不會(huì)畫大衛(wèi)。靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會(huì)造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號(hào)難題。
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設(shè)計(jì)-靜電來(lái)源及保護(hù)方法-KIA MOS管
- ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。ESD是一種常見的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來(lái)源在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機(jī)會(huì)將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件
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基本ESD模型及功能參數(shù)
- 將一個(gè)電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過閉合開關(guān)將電荷釋放進(jìn)準(zhǔn)備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負(fù)，因此必須同時(shí)處理好正負(fù)ESD兩種情況。 (1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型； 指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉(zhuǎn)移時(shí)，產(chǎn)生的ESD現(xiàn)象?！ ∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時(shí)間在2~10ns范圍內(nèi)，持續(xù)時(shí)間在150~200ns范圍內(nèi)
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esd是指什么？靜電放電是什么？
- ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電。 造成靜電放電有多種原因，但最常見的是靜電和靜電感應(yīng)。靜電通常是通過摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應(yīng)則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當(dāng)一個(gè)物體的表面獲得負(fù)電子而另一個(gè)物體失去電子并帶正電時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生摩擦充電。當(dāng)帶相反電荷的物體相互接觸時(shí)，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電?！ ≡诠I(yè)生產(chǎn)中靜電放電會(huì)導(dǎo)致兩種類型的電氣設(shè)備損壞，具體如下： 災(zāi)難性的：造成永久性傷害。 潛伏性的：幾乎檢測(cè)不到，已經(jīng)對(duì)組件造成損傷
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ESD簡(jiǎn)介（簡(jiǎn)單明了?。?/a>
- 記得小學(xué)時(shí)候的自然課上老師用冬天脫毛衣時(shí)的火花向年少的我們描述靜電的情形，那時(shí)候不禁對(duì)大自然肅然起敬。沒想到很多年之后學(xué)習(xí)集成電路課程，又一次跟靜電有了接觸，只是這一次沒有年少時(shí)的輕松與愉悅。靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成電子元件或電子系統(tǒng)遭受過度電應(yīng)力而被永久破壞。靜電放電破壞的產(chǎn)生，大多數(shù)是由于人為因素造成的，但又很難避免。在芯片制造、生產(chǎn)、測(cè)試、搬運(yùn)等過程中，靜電會(huì)積累在人體、儀器、設(shè)備之中，甚至芯片本身也會(huì)積累靜電，這些靜電一旦在某些情況下形放電通路
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靜電槍電路模型的建立及驗(yàn)證
- ESD一直是電氣和電子元件產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)和突出威脅。在系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試過程中，通常用靜電槍來(lái)模擬ESD放電場(chǎng)景，放電電流波形必須符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)。但標(biāo)準(zhǔn)給的誤差范圍較大，較大的誤差會(huì)影響仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性。本文在Cadence下建立了靜電槍電路模型，包括接觸放電模型和HBM模型，具有較高的精確性。模型產(chǎn)生的電流波形與實(shí)際測(cè)試電流波形吻合性較好，驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。該電路模型為靜電放電仿真提供了一個(gè)新的激勵(lì)源。
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系統(tǒng)層級(jí)靜電放電與芯片層級(jí)靜電放電之差異性
- 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國(guó)最近公布因?yàn)殪o電放電而造 成的國(guó)家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份就達(dá)到一百多億美金之多。
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半導(dǎo)體器件的電氣過應(yīng)力和靜電放電故障
- 靜電可被定義為物質(zhì)表面累積的靜態(tài)電荷或靜態(tài)電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)之一。通常來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體行業(yè)中超過三分之一的現(xiàn)場(chǎng)故障都是由ESD引起的。ESD導(dǎo)致的
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靜電放電(ESD)最常用的三種模型及其防護(hù)設(shè)計(jì)
- ESD：Electrostatic Discharge，即是靜電放電，每個(gè)從事硬件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的工程師都必須掌握 ESD 的相關(guān)知識(shí)。為了定量表征 ESD 特性，一般將 ESD 轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式，ESD 的模型有很多種，下面介紹最常用的三種。 1.HBM：Human Body Model，人體模型： 該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb 為等效人體電阻，Cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件 HBM 模型的 ESD 等級(jí)。 ESD人體模型
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靜電放電介紹
ESD（Electro Static Discharge）靜電放電，是指兩個(gè)具有不同靜電電位的物體，由于直接接觸或靜電感應(yīng)而引起的兩物體間靜電電荷的轉(zhuǎn)移。當(dāng)靜電能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象。因此，ESD 保護(hù)無(wú)處不在，而ESD 過壓保護(hù)則成為各種電子設(shè)備設(shè)計(jì)的基本要求。 [ 查看詳細(xì) ]
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