- 據LED環(huán)球在線，Sony副社長吉岡浩于28日接受采訪時證實，Sony正攜手美國半導體大廠美光(MicronTechnologyInc.)共同研發(fā)下一代非揮發(fā)性記憶體。報導指出，吉岡浩未就次世代記憶體的細節(jié)多作說明，僅表示雙方計劃于3-4年后商用化，且一旦成功將可成為一個非常大的事業(yè)。吉岡浩統(tǒng)籌Sony組件解決方案事業(yè)部門(PDS;包括零組件和半導體等事業(yè))。
吉岡浩指出，2010年度PDS部門內年銷售額超過1,000億日圓的產品計有影像感測器、電池和游戲機用LSI等5個，而Sony計劃于3-5
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Sony 半導體 非揮發(fā)性記憶體
非揮發(fā)性記憶體介紹
非揮發(fā)性記憶體(Non-Volatile Memory；NVM)為記憶體的一種，當電流關掉后，儲存在記憶體里的資料不會消失，可以繼續(xù)被保存，因此可當成是資訊儲存元件，如同硬碟一般。此外，非揮發(fā)性記憶體雖然能夠永久儲存資料，但存取速度比不上動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)或快取記憶體(Cache Memory)等揮發(fā)性記憶體(Volatile Memory)。 [
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